Trên dây chuyền sản xuất, bạn có thể quan sát trực tiếp quá trình diễn ra. Nhiệt độ của wafer tăng lên 2°C, và đặc tính của chất phủ quang học cũng thay đổi ngay lập tức. Những sai số trong quá trình xử lý xảy ra ngay sau đó, dẫn đến việc số lượng sản phẩm bị hỏng tăng lên trước khi chúng được đưa vào quá trình khắc. Đó là lý do tại sao việc sử dụng phương pháp gia nhiệt bằng tia hồng ngoại không phải là lựa chọn tốt nhất; đó chỉ là một phương pháp kiểm soát quy trình mà thôi.
Độ chính xác của phương pháp gia nhiệt bằng tia hồng ngoại: Độ đồng đều và khả năng lặp lại ở mức dưới mili mét
Tia hồng ngoại truyền năng lượng trực tiếp vào wafer mà hầu như không gây ra hiện tượng giữ nhiệt, vì vậy nhiệt độ có thể được kiểm soát chính xác. Độ đồng đều của nhiệt độ trên toàn bộ bề mặt wafer đạt mức dưới mili mét, và quá trình kiểm soát nhiệt độ có thể được lặp lại mỗi lần sản xuất. Trên thực tế, điều này có nghĩa là các thông số nhiệt độ trong quá trình xử lý vẫn ổn định, giúp duy trì các kích thước quan trọng của wafer. Hệ thống này lặp lại cùng một quy trình gia nhiệt mỗi lần sử dụng – điều này giúp đảm bảo độ chính xác trong quá trình sản xuất.
Tại sao phương pháp này hiệu quả trong quy trình xử lý wafer?
Chất phủ quang học quan tâm đến toàn bộ quá trình biến đổi nhiệt độ, chứ không chỉ đến giá trị nhiệt độ cao nhất. Phương pháp gia nhiệt bằng tia hồng ngoại giúp gia nhiệt nhanh chóng và có kiểm soát tốt, từ đó giảm thiểu sự chênh lệch nhiệt độ. Việc sử dụng phương pháp này cũng phù hợp với môi trường phòng sạch: thiết kế của hệ thống phù hợp với môi trường loại 1–100, và không tạo ra bất kỳ hạt bụi nào trong quá trình hoạt động. Nhờ đó, bạn không phải chịu tổn thất về năng suất sản xuất.
Việc sử dụng tia hồng ngoại giúp giảm mức tiêu thụ năng lượng, vì nhiệt được cung cấp theo nhu cầu. Thời gian xử lý cũng được rút ngắn, giúp giảm thời gian chờ đợi mà vẫn đảm bảo được quy trình kiểm soát nhiệt độ. Độ tin cậy của hệ thống được đảm bảo nhờ việc hoạt động 24/7 với các khoảng thời gian bảo trì dự đoán được, tránh việc dừng máy đột ngột.
Những điều cần biết trước khi lựa chọn phương pháp này:
Tia hồng ngoại chỉ có thể tác động lên wafer khi có tầm nhìn trực tiếp, vì vậy hình dạng của wafer và thiết kế của bộ phận chứa wafer ảnh hưởng đến mức độ đồng đều của nhiệt độ. Bạn cần đảm bảo rằng thiết kế của buồng xử lý và vị trí của bộ phát tia hồng ngoại phù hợp với quỹ đạo di chuyển của wafer. Bạn sẽ đạt được mức độ kiểm soát tốt hơn nếu quy trình được điều chỉnh để phù hợp với phương pháp gia nhiệt bằng tia hồng ngoại, thay vì áp dụng các quy trình truyền thống.
Việc lắp đặt hệ thống này đòi hỏi phải tuân thủ các quy định của phòng sạch, có hệ thống bảo vệ phù hợp, và có kế hoạch calibrat để đảm bảo độ chính xác của nhiệt độ. Hãy coi đó như một hệ thống xử lý nhiệt độ riêng biệt, chứ không phải là một bộ phận được lắp đặt thêm vào hệ thống. Nếu làm được điều đó, bạn sẽ đạt được mức độ chính xác cao trong quá trình sản xuất.