Sấy wafer bằng tia hồng ngoại so với phương pháp sấy bằng đối lưu

Wed, 24 Jun 2026 01:10:12 +0800

Trong môi trường sản xuất hiện đại, những tấm wafer sau khi được rửa sạch không thể chịu đựng được bất kỳ lượng nước dư thừa nào, ngay cả ở mức 1 micron. Các lò sấy kiểu đối lưu phải liên tục điều chỉnh nhiệt độ để đạt được mức đồng đều, và mỗi lần điều chỉnh như vậy đều ảnh hưởng đến chất lượng sản phẩm. Phương pháp sấy bằng tia hồng ngoại thì khác: tia hồng ngoại tác động trực tiếp lên bề mặt wafer, làm nóng bề mặt wafer mà không cần truyền nhiệt vào không khí bên trong lò. Điều này giúp đảm bảo độ đồng đều về nhiệt độ ở mức ±0,1°C – không còn tình trạng chênh lệch nhiệt độ giữa các vùng khác nhau của wafer như trong các hệ thống sấy kiểu đối lưu nữa. Tia hồng ngoại bước sóng ngắn giúp truyền năng lượng một cách nhanh chóng và chính xác, giúp duy trì độ ổn định trong quá trình xử lý wafer. Tia hồng ngoại bước sóng trung bình thì phù hợp khi cần nhiệt độ cao hơn mà không gây ra hiện tượng quá nhiệt.

Sự Đối Lưu on Maximum Warmth Infrared Heaters

Sấy wafer bằng tia hồng ngoại so với phương pháp sấy bằng đối lưu