Trên tầng lithography, dây chuyền vẫn tiếp tục vận hành dù profile nung bake của bạn có được hiệu chỉnh chính xác hay không. Sai lệch soft bake thể hiện dưới dạng sự phân tán CD. Sự không đồng đều trong hard bake làm ảnh hưởng đến tính toàn vẹn của mẫu, và wafer sẽ chịu thiệt hại cho mỗi độ sai lệch trong kiểm soát nhiệt độ.
Những gì chúng tôi xây dựng, và lý do nó quan trọng
Chúng tôi đặt máy sấy wafer sử dụng bức xạ hồng ngoại gần (NIR) xung quanh, được tinh chỉnh để truyền năng lượng trực tiếp vào lớp photoresist và đế wafer. Kết quả là sự đồng đều ở cấp wafer được duy trì trong phạm vi ±0.1°C, với các profile nhiệt độ có thể lặp lại qua các chu trình soft bake và hard bake. Thiết bị vận hành trong phòng sạch Class 1–100 mà không làm tăng lượng hạt bụi, và không phát sinh hạt bụi ngay tại điểm làm nóng. Độ tin cậy được đảm bảo cho hoạt động liên tục 24/7, không có thời gian chết ngoài kế hoạch trong nhiều ca sản xuất.
Trong một nhà máy sản xuất quy mô lớn, ổn định nhiệt tương đương với ổn định quá trình. Bạn sẽ kiểm soát CD chặt chẽ hơn, giảm số lượng lô phải làm lại, và hiệu suất nung bake ổn định qua nhiều lô liên tiếp. Máy sấy NIR giảm lãng phí trong ngân sách nhiệt, rút ngắn thời gian chu trình, và giữ cho dây chuyền không bị gián đoạn do biến động nhiệt độ. Dù bạn vận hành dây chuyền đóng gói hay sản xuất ở các node tiên tiến, điều này thể hiện qua năng suất cao hơn và mức sử dụng thiết bị ổn định.
Điều cần lưu ý với NIR là nó cần đường nhìn trực tiếp đến wafer và một đường dẫn nhiệt sạch, phản xạ tốt. Sự che khuất từ chucks hoặc thiết bị cố định có thể tạo ra các vùng lạnh cục bộ. Vì vậy, việc tích hợp phải được lên kế hoạch dựa trên hình học đế wafer, hệ số phát xạ, và các giao diện của công cụ. Khi căn chỉnh đúng, bạn sẽ có các quá trình bake lặp lại, bảo trì tối thiểu, và mức tiêu thụ năng lượng dự đoán được.